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HL: Halbleiterphysik

HL 40: Poster III

HL 40.85: Poster

Friday, March 21, 1997, 11:00–14:00, Z

Neue SIRC-Pseudopotentiale f"ur wide-band-gap Halbleiter — •D. Vogel, P. Kr"uger, and J. Pollmann — Institut f"ur Theoretische Physik II - Festk"orperphysik, Universit"at M"unster, Wilhelm-Klemm-Stra"se 10, D-48149 M"unster

Die wide-band-gap Halbleiter GaN, InN und ZnSe besitzen ein au"serordentlich gro"ses Anwendungspotential in der Optoelektronik. LDA-Bandstrukturrechnungen f"ur diese Materialien mit ’state of the art’ Pseudopotentialen zeigen gravierende Abweichungen von den experimentellen Daten. Die gemessenen Bandl"ucken werden erheblich untersch"atzt, und die berechneten semicore d-B"ander liegen im Vergleich zum Experiment um etwa 3 eV zu hoch. Diese systematischen Fehler werden mit Hilfe neuer Pseudopotentiale, die atomare Selbstwechselwirkungskorrekturen (SIC) und elektronische Relaxation enthalten, zu einem gro"sen Teil behoben. Wir haben mit diesen selbstwechselwirkungs- und relaxationskorrigierten (SIRC) Pseudopotentialen die elektronischen und strukturellen Eigenschaften einer Reihe von Gruppe-III-Nitriden, IIb-VI Halbleitern und Ib-VII Halbleitern untersucht. Die Ergebnisse dieser Rechnungen liefern eine sehr gute "Ubereinstimmung mit dem Experiment. Mit Hilfe von SIRC-Pseudopotentialen k"onnen atomare Selbstwechselwirkungs- und Relaxationskorrekturen ohne zus"atzlichen numerischen Aufwand in Standard LDA-Rechnungen ber"ucksichtigt werden. Dies erm"oglicht eine effiziente Behandlung komplexerer Systeme wie Festk"orperoberfl"achen.