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HL: Halbleiterphysik
HL 40: Poster III
HL 40.86: Poster
Friday, March 21, 1997, 11:00–14:00, Z
Untersuchungen an Ga1−xInxN-Schichten mittels in situ und ex situ Ramanspektroskopie — •A. Schneider, T. Werninghaus, N. Hartmann, D. Drews und D.R.T. Zahn — Halbleiterphysik, Institut für Physik, TU Chemnitz, D-09107 Chemnitz
Mit Hilfe von Molekularstrahlepitaxie wurden Ga1−xInxN-Schichten mit verschiedenen Wachstumsparametern und Stöchiometrien x (0≤x≤1) auf unterschiedlichen Substraten (Si(100), Si(111) und GaAs(100)) gewachsen. Unter Ausnutzung von Resonanzbedingungen bei der Ramanstreuung kann das Schichtwachstum unmittelbar in situ bei typischen Wachstumstemperaturen ≤700oC beobachtet werden [1]. Ex situ wurden die gewachsenen Schichten in der konventionellen plane-view sowie der cross-sectional Meßgeometrie untersucht. Die Messungen mit der konventionellen Meßgeometrie ermöglichen Aussagen über die laterale Variation der Schichteigenschaften, während die cross-sectional Meßgeometrie für Untersuchungen der Grenzflächenbeschaffenheit und für tiefenaufgelöste Messungen genutzt wird [2]. Dadurch kann die Variation der Stöchiometrie x, der Verspannung und der Kristallinität diskutiert und eine Tiefenauflösung im Nanometerbereich erreicht werden.
[1] D.R.T. Zahn, A. Schneider, and D. Drews, Appl. Phys. Lett. submitted
[2] T. Werninghaus, A. Schneider, D. Drews, und D.R.T. Zahn, Fres. J. Anal. Chem. in press