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HL: Halbleiterphysik

HL 40: Poster III

HL 40.88: Poster

Friday, March 21, 1997, 11:00–14:00, Z

Raman- und Photolumineszenzuntersuchungen an GaN/GaAs unter Druck — •A. Kaschner¹, H. Siegle¹, A.R. Goñi¹, C. Thomsen¹, Z. Liu², C. Ulrich², K. Syassen², B. Schöttker³, D.J. As³ und D. Schikora³ — ¹Institut für Festkörperphysik, Technische Universität Berlin, Hardenbergstr. 36, 10623 Berlin — ²Max-Planck-Institut für Festkörperforschung, Heisenbergstr. 1, 70569 Stuttgart — ³Institut für Optoelektronik, GHS Paderborn, Warburgerstr. 100, 33095 Paderborn

Ein Hauptproblem beim epitaktischen Wachstum von GaN auf Standardsubstraten, wie z.B. Saphir oder GaAs, sind die stark unterschiedlichen Gitterkonstanten und Ausdehnungskoeffizienten von Substrat und aufzuwachsender Schicht, was zu einer starken Verspannung in den Schichten führt. Der Einfluß dieser Verspannung auf die optischen und gitterdynamischen Eigenschaften von GaN wurde mit Hilfe von Raman- und Photolumineszenzmessungen unter hohem Druck (bis 9 GPa) und bei tiefen Temperaturen an GaN-Schichten untersucht, die mittels Molekularstrahlepitaxie auf GaAs-Substraten abgeschieden wurden. Unsere Messungen lieferten die Grüneisen-Parameter der kubischen TO- und LO-Phononen-Moden sowie die der hexagonalen E₂-Mode. Die Druckabhängigkeit der bandkantennahen Lumineszenz der GaN-Schichten im Bereich von 3–3.3 eV und der Einfluß der biaxialen Verspannung durch das GaAs-Substrat wurden untersucht.