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HL: Halbleiterphysik

HL 40: Poster III

HL 40.9: Poster

Friday, March 21, 1997, 11:00–14:00, Z

Polarisationsabh"angigkeit des 2D-Franz-Keldysh-Effekts in
MQW - Strukturen — •M. Weishart, A. Thr"anhardt, M. Kneissl, N. Linder, and G.H. D"ohler — Institut f"ur Technische Physik I, Universit"at Erlangen-N"urnberg, Erwin-Rommel-Str. 1, D-91058 Erlangen

Im Absorptionsspektrum einer MQW - Struktur beobachtet man wegen der gro"sen exzitonischen Bindungsenergie bei Raumtemperatur, starke exzitonische Resonanzen. F"ur elektrische Felder in schichtparalleler Richtung zeigt sich, da"s wegen der fehlenden Einschr"ankung der Ladungstr"agerbewegung in der Ebene kleine Felder ausreichend sind, das Exziton zu ionisieren, woraus gro"se Absorptions"anderungen bei der Exzi-
tonen-Resonanz-Wellenl"ange resultieren. Bei weiterer Felderh"ohung erh"alt man charakteristische Franz-Keldysh-Oszillationen.
Die fr"uheren Ergebnisse [1] wurden mit unpolarisiertem Licht erhalten. Das angelegte elektrische Feld bricht jedoch die Symmetrie des Systems. Deshalb erwartet man eine Polarisationsabh"angigkeit der Absorption, die aus der feldabh"angigen Mischung der schweren und leichten L"ocher resultiert. Wir haben diesen Effekt an GaAs/AlGaAs und an pseudomorph verspannten InGaAs/GaAs-Quantent"opfen untersucht. In beiden F"allen erhielten wir schwache Polarisationsabh"angigkeit, die wir quantitativ mit den Ergebnissen von Berechnungen im Rahmen der k · p -Theorie vergleichen.

[1] M. Kneissl et al., Superlattices and Microstructures 16, 109 (1994)