Münster 1997 – scientific programme

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HL: Halbleiterphysik

HL 40: Poster III

HL 40.92: Poster

Friday, March 21, 1997, 11:00–14:00, Z

Gitterplatzbestimmung von implantiertem Er in GaN — •R. Vianden¹, E. Alves², K. Freitag¹ und J.C. Soares³ — ¹ISKP, Univ. Bonn — ²Instituto Tecnologico e Nulcear, Sacavem, Portugal — ³Centro de Fisica Nuclear, Lissabon, Portugal

Die Lumineszenz von Er in Halbletern ist in den letzten Jahren intensiv untersucht worden, da der 1,54µm Innerschalenübergang des Er in einem Minimum der Absorption von Glasfasern liegt. Jüngste Untersuchungen [1] zeigen, daß die Effizienz dieses Übergangs in Halbleitern mit großer Bandlücke wie GaN besonders groß ist. Da zur Zeit noch wenig Erfahrung mit der Dotierung dieses Halbleiters durch Implantation besteht, wurde Er mit 160 keV und einer Dasis von 5x10¹³ bzw. 3x10¹⁴ Er/cm² in epitaktisches GaN (1-2 µm auf Saphir) implantiert. Nach Tempern bei 900^∘C wurden mit der RBS/Channeling Methode Winkelscans über die c-Achse und verschiedene Ebenen der GaN Wurzit-Struktur aufgenommen um so den Gitterplatz des Er zu bestimmen.(Gefördert von der EU unter CHRX-CT93-0363)

[1] E.Silkowski et al., Proc. MRS Spring Meeting 1996, San Francisco, U.S.A.