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HL: Halbleiterphysik

HL 40: Poster III

HL 40.95: Poster

Friday, March 21, 1997, 11:00–14:00, Z

Bandkanten-nahe Photolumineszenz epitaktischer GaN-Schichten — •U. W. Pohl¹, L. Eckey¹, A. Hoffmann¹, H. Angerer², O. Ambacher² und M. Stutzmann² — ¹Institut für Festkörperphysik, TU Berlin, Hardenbergstr. 36, D-10623 Berlin — ²Walter-Schottky-Institut, TU München, Am Coulombwall, D-85748 Garching

In der Photolumineszenz epitaktisch auf Saphir abgeschiedener GaN-Schichten wurden bei T = 5 K neben Übergängen freier und gebundener Exzitonen zwei Serien von Donator-Akzeptor-Paaren beobachtet. Bei steigender Temperatur nimmt die Intensität beider Serien in gleichem Maße ab und es erscheinen free-to-bound Übergänge. Bei der gleichzeitig abnehmenden exzitonischen Lumineszenz dominiert zunehmend die Band-Band-Rekombination gegenüber den Übergängen gebundener Exzitonen. In dem Beitrag wird die Temperaturabhängigkeit und die Dynamik der Bandkanten-nahen Lumineszenz untersucht und die Zuordnung der Übergänge diskutiert.