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HL: Halbleiterphysik
HL 40: Poster III
HL 40.96: Poster
Freitag, 21. März 1997, 11:00–14:00, Z
Struktur von GaN-Pufferschichten auf (0001)-Al2O3 — •H. Selke1, S. Einfeldt2, U. Birkle2, D. Hommel2 und P.L. Ryder1 — 1Institut für Werkstoffphysik und Strukturforschung, Universität Bremen, Fachbereich 1, D-28334 Bremen — 2Institut für Festkörperphysik, Universität Bremen, Fachbereich 1, D-28334 Bremen
Die Verwendung von dünnen AlN- bzw. GaN-Pufferschichten hat sich zumindest bei der MOCVD zur Erzeugung von GaN-Schichten mit guten strukturellen und physikalischen Eigenschaften bewährt. Bestehende Strukturmodelle für diese Pufferschichten (z.B.[1]) sind jedoch wenig durch detaillierte Strukturuntersuchungen belegt.
GaN-Pufferschichten wurden bei niedrigen Temperaturen im MBE-Reaktor auf (0001)-Al2O3 aufgewachsen. Die Strukturuntersuchungen erfolgten mit Hilfe der hochauflösenden Elektronenmikroskopie und der Elektronenbeugung. Wie die gezielte Analyse relevanter Bereiche der Heterostruktur mittels Plan-view-Proben zeigt, wird die bekannte Epitaxiebeziehung: [0001] Al2O3 ∥ [0001]GaN ,[1210]Al2O3 ∥ [1100]GaN zwischen den GaN-Kristalliten im Puffer (typischer Durchmesser: 10 - 20 nm) und dem Al2O3-Substrat nicht fest eingehalten. Vielmehr beobachtet man ein breites Spektrum von Verdrehungen um [0001]Al2O3 sowie leichte Verkippungen von [0001]GaN gegen [0001]Al2O3. Das nachfolgende Wachstum von GaN auf einem derartigen Puffer wird diskutiert.
[1] H. Hiramatsu, S. Itoh, H. Amano, I. Akasaki, N. Kuwano, T. Shiraishi, K. Oki, J. Crystal Growth 115, 628 (1991)