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HL: Halbleiterphysik

HL 5: Raman/Nichtlineare Optik

HL 5.1: Talk

Monday, March 17, 1997, 10:30–10:45, H4

Lebensdauer von Phononen in Halbleitern unter Druck — •C. Ulrich, E. Anastassakis, K. Syassen, A. Debernardi und M. Cardona — Max–Planck–Institut für Festkörperforschung, Heisenbergstr. 1, D–70569 Stuttgart

Wir haben die Druckabhängigkeit der Linienbreite (FWHM) der Raman–Linien erster Ordnung von Silizium und Germanium bei tiefen Temperaturen gemessen. Die Linienbreite nimmt jeweils linear mit steigendem hydrostatischem Druck zu. Dies entspricht einer Abnahme der Lebensdauer der optischen Phononen (k^→ ≈ 0) aufgrund der Zunahme der Wahrscheinlichkeit für den anharmonischen Zerfall in zwei Phononen niedrigerer Energie (k₁^→ + k₂^→ ≈ 0). Das Ergebnis wird mit first–principles Berechnungen basierend auf der density–functional Störungstheorie dritter Ordnung verglichen [1]. Mit einer geringfügigen Korrektur, die die theoretischen Linienpositionen den experimentell gemessenen anpasst, ist die Übereinstimmung zwischen der experimentellen und der theoretischen Linienbreite hervorragend.

[1] A. Debernardi, , S. Baroni, and E. Molinari, Phys. Rev. Lett. 75, 1819 (1995).