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HL: Halbleiterphysik
HL 5: Raman/Nichtlineare Optik
HL 5.6: Talk
Monday, March 17, 1997, 11:45–12:00, H4
Elektronische Ramanstreuung an p-InP — •M. Wenzel, G. Irmer und J. Monecke — Institut für Theoretische Physik, TU Bergakademie Freiberg, B.-v.-Cotta-Str. 4, 09596 Freiberg
In der Vergangenheit wurden Akzeptorübergänge an p-InP mit
Photolumineszenz und IR-Sektroskopie detektiert.
Erstmals werden Spektren des elektronischen Ramaneffektes an flachen
Akzeptoren (Zn, Cd) in p-InP in einem großen
Löcherkonzentrationsbereich von semiisolierend
bis p=7 · 1018 cm−3 vorgestellt.
Die Messungen wurden in Abhängigkeit von der Temperatur (9 K - 300 K)
und von der Lichtpolarisation durchgeführt.
Als Anregungsquelle diente ein Ti-Saphir-Laser bei einer Wellenlänge
von λ=950 nm.
Die im Ramanspektrum beobachteten Banden werden Übergängen
gebundener Löcher vom Grund- zu angeregten Zuständen zugeordnet.
Für Proben mit p>1018 cm−3 werden der Einfluß des
Einteilchenspektrums und der beobachtete Fano-Effekt diskutiert.