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HL: Halbleiterphysik
HL 7: Störstellen II
HL 7.6: Talk
Monday, March 17, 1997, 16:45–17:00, H1
Defektbildungs- und Ausheilverhalten in elektronenbestrahltem Silizium — •Angelika Polity, Steffen Huth und Reinhard Krause-Rehberg — Fachbereich Physik, Martin-Luther-Universität Halle-Wittenberg, Friedemann-Bach-Platz 6, D-06108 Halle/Saale
Undotiertes, n- und p-Typ Si wurde bei 4 K mit 2 MeV Elektronen mit einer Dosis von 1018 cm−2 bestrahlt. Die bestrahlungs- induzierten Defekte und ihr Ausheilverhalten wurden mit Hilfe der Positronenlebensdauerspektroskopie und durch elektrische Messungen untersucht.
Die Ergebnisse werden unter Berücksichtigung des Leitungstyps, der Dotierungskonzentration und des Sauerstoffgehaltes diskutiert. Neben den leerstellenartigen Defekten, die mit Positronen detektiert werden, konnten in allen Proben flache Positronenfallen nachgewiesen werden. Diese Defekte wurden mit der Sauerstoffkonzentration korreliert und dem A-Zentrum zugeordnet.