Münster 1997 – wissenschaftliches Programm

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HL: Halbleiterphysik

HL 7: Störstellen II

HL 7.6: Vortrag

Montag, 17. März 1997, 16:45–17:00, H1

Defektbildungs- und Ausheilverhalten in elektronenbestrahltem Silizium — •Angelika Polity, Steffen Huth und Reinhard Krause-Rehberg — Fachbereich Physik, Martin-Luther-Universität Halle-Wittenberg, Friedemann-Bach-Platz 6, D-06108 Halle/Saale

Undotiertes, n- und p-Typ Si wurde bei 4 K mit 2 MeV Elektronen mit einer Dosis von 10¹⁸ cm⁻² bestrahlt. Die bestrahlungs- induzierten Defekte und ihr Ausheilverhalten wurden mit Hilfe der Positronenlebensdauerspektroskopie und durch elektrische Messungen untersucht.

Die Ergebnisse werden unter Berücksichtigung des Leitungstyps, der Dotierungskonzentration und des Sauerstoffgehaltes diskutiert. Neben den leerstellenartigen Defekten, die mit Positronen detektiert werden, konnten in allen Proben flache Positronenfallen nachgewiesen werden. Diese Defekte wurden mit der Sauerstoffkonzentration korreliert und dem A-Zentrum zugeordnet.