Bereiche | Tage | Auswahl | Suche | Downloads | Hilfe

HL: Halbleiterphysik

HL 7: Störstellen II

HL 7.8: Vortrag

Montag, 17. März 1997, 17:15–17:30, H1

Innere Übergänge und Umladungen von Vanadium in CdTe — •H. R. Selber¹, P. Peka¹, H.-J. Schulz¹, R. Schwarz² und K. W. Benz² — ¹Fritz-Haber-Institut der MPG, Faradayweg 4-6, D-14195 Berlin — ²Kristallographisches Institut der Universität Freiburg, Hebelstr. 25, 79104 Freiburg

Neben der bereits bekannten [1] Tieftemperatur-Lumineszenzbande des V³⁺ mit einer Nullphononenenergie von 4390 cm⁻¹ wurden in CdTe-Kristallen innere Übergänge der beiden Ladungszustände V²⁺ und V⁺ bei 3810 cm⁻¹ bzw. 3100 cm⁻¹ gefunden. Diese Zuordnung ergibt sich durch Kristallfeldrechnungen aus den Energien interner Anregungen. Sie wird durch Abklingzeiten und Sensibilisierungsmessungen gestützt. In den Kristallen sind gleichzeitig alle 3 Ladungszustände des V vorhanden. Aus den Sensibilisierungsspektren wird ein Einelektronen-Modell hergeleitet, und die Lage der V²⁺/V³⁺-Donator- und V²⁺/V⁺-Akzeptor-Niveaus angenähert bestimmt. Donator- und Akzeptor-Energie sind etwa gleich, und die Umladungsniveaus liegen ungefähr in der Mitte der Bandlücke.

[1] P. Peka et al., Appl. Phys. A 58, 447 (1994)