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HL: Halbleiterphysik

HL 8: Theorie II

HL 8.13: Vortrag

Montag, 17. März 1997, 18:30–18:45, H2

Kohärente Oszillationen von LO-Phononen in Halbleitern — •Th. Östreich und K. Schönhammer — Institut für Theoretische Physik, Universität Göttingen, Bunsenstr. 9, 37073 Göttingen

Exzitonische Effekte können die kohärente Wechselwirkung von LO-Phononen und Elektron-Loch-Paaren in Halbleitern deutlich modifizieren. Wir untersuchen diese Effekte an zwei Modellen im Grenzfall schwacher Elektron-Phonon Wechselwirkung. In einem eindimensionalen Gittermodell mit langreichweitiger Coulombwechselwirkung kann die 1-Phononen-Resonanz innerhalb des Kontinuums der Bandzustände numerisch exakt beschrieben werden. Die Form der Resonanz, wie auch die exakte Resonanzposition hängen entscheidend vom Verhältnis der Elektronen- und Lochmassen ab. Im Grenzfall unendlich schwerer Löcher findet man eine deutliche Fano-Resonanz innerhalb der Bandzustände. Wir vergleichen die Resultate mit Ergebnissen für das dreidimensionale Zweiband-Modell für GaAs. Die Position der LO-Phonon Resonanz in GaAs entspricht Oszillationen mit einer Periode von ∼ 10² fs. Diese Oszillationen sollten in Messungen der interferometrischen Kreuzkorrelation von Licht in der Transmissionsgeometrie prinzipiell als Quantenbeats nachweisbar sein.