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Münster 1997 – wissenschaftliches Programm

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HL: Halbleiterphysik

HL 9: SiC

HL 9.1: Vortrag

Montag, 17. März 1997, 15:30–15:45, H3

Zustandsdichten an 6H-SiC/SiO2 Grenzflächen nach Umdotierung durch Ionenimplantation — •Michael Baßler1, Valery Afanas’ev2 und Gerhard Pensl11Institut für Angewandte Physik, Universität Erlangen-Nürnberg — 2Labor für Halbleiterphysik, Universität Leuven, Belgien

Mittels Umdotierung durch Ionenimplantation wurde untersucht, welchen Einfluß die Dotierspezies in 6H-SiC auf die Grenzflächenzustandsdichte an SiC/SiO2 Grenzflächen haben. Hierzu wurden n-Typ (Stickstoff (N): NNNKomp=2·1016cm−3) und p-Typ (Aluminium (Al): NAlNKomp=4·1016cm−3) 6H-SiC Epischichten mittels Implantation von Al, B (n-Typ → p-Typ) bzw. N (p-Typ → n-Typ) umdotiert. Das SiO2 wurde durch thermische Oxidation (trocken, 1120C) aufgebracht. Die elektrische Charakterisierung der Grenzfläche vor und nach der Implantation erfolgte mit Constant-Capacitance Deep-Level-Transient-Spectroscopy und Admittanzspektroskopie. Es ergibt sich eine U-förmige Verteilung der Zustandsdichte mit Dit=1013cm−2eV−1 an den Bandkanten und einem Minimum bei der Energie E=1eV unterhalb der Leitungsbandkante (Dit=1011cm−2eV−1). In der Mitte der Bandlücke zeigt die Zustandsdichte eine Stufe von etwa einer Größenordnung. Diese Verteilung ist von as-grown 6H-SiC Epischichten bekannt und zeigt, daß die Zustandsdichten durch die Dotierspezies und einen eventuellen Implantationsschaden nicht erhöht werden.

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