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HL: Halbleiterphysik
HL III: HV III
HL III.1: Invited Talk
Tuesday, March 18, 1997, 09:30–10:15, H1
Si1−yCy und Si1−x−yGexCy Legierungsschichten — •K. Eberl, K. Brunner und W. Winter — Max-Planck-Institut für Festkörperforschung, Heisenbergstr. 1, 70569 Stuttgart
Die natürliche Löslichkeit von Kohlenstoff in Si ist extrem gering. Mit Molekularstrahlepitaxie gelingt es dennoch, Si1−yCy-Legierungen mit einem C-Gehalt bis zu etwa y=6% einkristallin auf Si-Substrate abzuscheiden. Durch den substitutionellen Einbau von Kohlenstoff können die Eigenschaften von Si und SiGe gezielt verändert werden. Damit ergeben sich größere Freiheiten beim Maßschneidern der Bandstruktur. Eine reduzierte intrinsische Gitterkonstante und eine starke Absenkung der Leitungsbandkante in Si1−yCy-Legierungen sind zum Si1−xGex-Materialsystem gewissermaßen komplementäre Eigenschaften. Sie stellen vielfältige elektronische und optoelektronische Anwendungen für Si1−yCy- und für ternäre Si1−x−yGexCy-Legierungen auf Si-Substrat in Aussicht. In diesem Beitrag wird über die optischen und elektronischen Eigenschaften sowie erste Bauelemente mit C-haltigen Heterostrukturen auf Si-Substrat berichtet.