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HL: Halbleiterphysik

HL XIII: HV XIII

HL XIII.1: Hauptvortrag

Freitag, 21. März 1997, 09:30–10:15, H1

Silicium Scheiben für die Gigabit Ära — •A. Mozer — Wacker Siltronic AG

Mit fortschreitender Integrationsdichte in Richtung der Gigabit-Speicher Ära, werden auch immer höhere Anforderungen an das Ausgangsmaterial der integrierten Schaltkreise, dem Silicium Wafer, gestellt. Das veränderte Anforderungsprofil äußert sich nicht nur in einer Waferdurchmesservergrößerung von 200 mm auf 300 mm, sondern auch in strenger werdenden Waferparameteranforderungen durch die sich gleichzeitig vollziehende Verkleinerung der Strukturgröße (Designrules).

Die Strukturverkleinerung geht von 0.35µ m auf 0.25µ m und später auf 0.18µ m. Dadurch verschärfen sich die Homogenitätsanforderungen (Δρ/ρ, Δ O/O, ...), die Ebenheitsanforderungen (STIR, ...) sowie die Oberflächen- und Rückseitenperfektion (LPD’s, Roughness, DSP, ...). Zusätzlich werden auf dem Weg zur Gigabit-Ära die Prozeßtemperaturen weiter absenken. Dadurch verändert sich das interne Wafer-Präzipitations- und Getterverhalten und neue Wege der sogenannten Low-Thermal-Budget Wafer müssen verfolgt werden. In dem Beitrag werden die erforderlichen Forschungs- und Entwicklungsschwerpunkte für die Silicium Wafer auf dem Weg zur Gigabit Ära dargestellt und kritisch beleuchtet.