Münster 1997 – wissenschaftliches Programm

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O: Oberflächenphysik

O 12: Metall/Metall-Epitaxie I

O 12.2: Vortrag

Dienstag, 18. März 1997, 09:45–10:00, S 10

Epitaktisch induzierte Stapelfolgenänderung in Co(0001)-Kristalloberflächen — •S. Müller², J.E. Prieto¹, C. Rath², R. Miranda¹ und K. Heinz² — ¹Dpto. Fisica de la Materia Condensada, Universidad Autonoma de Madrid, Cantoblanco, E-28049 Madrid — ²Lehrstuhl für Festkörperphysik, Universität Erlangen-Nürnberg, Staudtstr.7, D-91058 Erlangen

Aus Untersuchungen an Cu/Co/Cu(111)-Sandwichstrukturen ist bekannt, daß auf einem Co-Film aufgebrachtes Cu im “interface”-Bereich die Co-Atome von hcp auf fcc-Plätze zwingt [1]. Anhand dreier auf einer Co(0001)-Oberfläche aufgedampfter Cu-Filme im Dickenbereich 0.5-2 ML wurde mittels quantitativem LEED und STM untersucht, ob dieser Effekt auch bei einem Co-Volumenkristall auftritt. Aufgrund der hohen Sensitivität der Intensitäten auf die Stapelsequenz lassen die Analysen dabei die Detektion von Stapeländerungen bis in tiefere Lagen zu. Bei einer Bedeckung von etwa einer halben Monolage wächst der Cu-Film pseudomorph in Form von “fcc-twins” auf der Co-Oberfläche auf. Die hcp-Stapelfolge der Co-Lagen bleibt unverändert. Der Abstand der Cu-Lage vom Substrat richtet sich so ein, daß das atomare Cu-Volumen dem im Cu-Kristall nahe kommt. Lagenstapelfehler im Co-Film setzen unter Ausbildung einer fcc-Stapelfolge bei etwa 1 ML ein. Dabei kommt es zu Platzwechsel der Co-Atome in der obersten Lage von hcp- auf fcc-Muldenplätze.

[1] S. Müller et al., DPG(VI) 31 (1996) 1823 und Phys. Rev. B, subm.