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Münster 1997 – wissenschaftliches Programm

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O: Oberflächenphysik

O 17: Metalloxide auf Metallen

O 17.4: Vortrag

Dienstag, 18. März 1997, 16:45–17:00, S 10

Der Einflu"s von Wasser auf das Wachstum d"unner Cu-Schichten auf Ni(111) — •M. Mayan, G. Held, W. Sklarek, and H.–P. Steinr"uck — Exp. Physik II, Universit"at W"urzburg, Am Hubland, 97074 W"urzburg

Aufgrund seiner starken intermolekularen Vernetzung durch Wasserstoffbr"uckenbindungen nimmt Wasser eine Sonderstellung unter den molekularen Adsorbaten ein. Es erscheint daher m"oglich, d"unne Metallfilme herzustellen, die durch eine Wasserschicht vom Substrat isoliert sind. Um dies zu untersuchen, wurde Kupfer in verschiedenen Dicken auf eine mit einer Wasser (D2O)–Bilage bzw. –Multilagen vorbedeckte Ni(111)–Oberfl"ache aufgedampft und mittels hochaufl"osender XPS, TPD und LEED untersucht. Sowohl die Verz"ogerung der Wasserdesorption hin zu h"oheren Temperaturen als auch die Verbreiterung des Desorptionspeaks deuten darauf hin, da"s Kupfer auf der Bilage adsorbiert, was durch einen Vergleich der Cu 2p3/2–Intensit"aten vor und nach der Desorption gest"utzt wird. Nach Deposition kleinerer Kupfermengen (≤ 1 ML) auf Wasser–Multilagen beobachtet man eine Vergr"o"serung der Cu 2p3/2 Bindungsenergie um 1 eV, verglichen mit Cu/Ni(111) bzw. Cu/Wasser–Bilage/Ni(111). Dies deutet auf eine Einlagerung einzelner Cu–Atome oder kleiner nichtmetallischer Cu–Cluster in der Wasserschicht hin, die im Gegensatz zur reinen Ni(111)–Oberfl"ache bzw.. Cu/Ni(111) zur Dissoziation von Wasser f"uhren.
Gef"ordert von der Deutschen Forschungsgemeinschaft unter Ste 620/2–1.

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