Münster 1997 – wissenschaftliches Programm

Bereiche | Tage | Auswahl | Suche | Downloads | Hilfe

O: Oberflächenphysik

O 17: Metalloxide auf Metallen

O 17.7: Vortrag

Dienstag, 18. März 1997, 17:30–17:45, S 10

Elementare Schritte der Oxidation von CoGa(001) — •Markus Eumann, Gregor Schmitz, and René Franchy — IGV KFA-J"ulich GmbH, 52425 J"ulich

Die elementaren Schritte der Adsorption von Sauerstoff auf CoGa(001) und die Oxidation der Oberfl"ache wurde mit AES, LEED, EELS und STM untersucht. Dabei wurden zwei Verfahren verwendet: 1. die Oxidation durch Adsorption von Sauerstoff bei RT und Anlassen der Probe auf 560 K und 2. durch Adsorption direkt bei 560 K. Bei einer S"attigungsbegasung von 300 L erh"alt man durch beide Verfahren d"unne wohlgeordnete β-Ga₂O₃-Schichten. Bei Adsorption von O₂ bei RT adsorbiert Sauerstoff atomar und es bilden sich amorphe Ga-Oxid-Keime. Heizt man die so pr"aparierte Oberfl"ache auf 560 K so bilden sich geordnete β-Ga₂O₃ Oxidinseln. Dabei zeigen sich im EEL-Spektrum bereits bei Begasungen von 0,2% der S"attigungsbegasung Moden bei 300, 455, 645 und 785 cm⁻¹, die charakteristisch fuer β-Ga₂O₃ sind. Die STM-Bilder f"ur Begasungen kleiner 2 L (kleiner 1% der S"attigungsbegasung) zeigen, da"s das Oxidwachstum an den Stufenkanten beginnt. Dort bilden sich Oxidinseln parallel zu den Stufenkanten. Die Oxidinseln haben eine L"angsausdehnung, die ein Vielfaches (Faktor 5-50) der Querausdehnung ist. Die Oxidinseln treten in zwei senkrecht zueinander liegenden Dom"anen auf und sind in [100] und [010] Richtung orientiert. Mit zunehmender Begasung setzt sich das Oxidwachstum zun"achst in der Ebene fort, bevor das Wachstum von Oxidinseln in der n"achsten Ebene beginnt.