Münster 1997 – wissenschaftliches Programm

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O: Oberflächenphysik

O 18: Elektronische Struktur II

O 18.9: Vortrag

Dienstag, 18. März 1997, 18:00–18:15, S 1

Bandstrukturen von adsorbiertem und eingebautem Arsen auf InP(110) — •S. Schömann¹, T. Chassé¹ und K. Horn² — ¹Institut für Physik. und Theor. Chemie, Universität Leipzig, Linnéstr. 3, D-04103 Leipzig — ²Fritz–Haber–Institut der MPG, Faradayweg 4–6, D-14195 Berlin

Adsorption von Arsen sättigt bei InP(110) mit einer geordneten Monolage entsprechend dem ECLS-Modell. Zwei Adsorptionsplätze sind durch Photoemissionsmessungen unterscheidbar. Durch Tempern auf ca. 620 K lassen sich gezielt die Phosphoratome der ersten Monolage durch Arsenatome ersetzen [1]. Die Veränderungen der Relaxation und der elektronischen Struktur durch diese Präparationen wurden experimentell mit UPS (He I) und SXPS (Bessy) sowie theoretisch mit DFT-supercell Berechnungen untersucht.

Während die gesättigte Adsorbatschicht die Relaxation des Substrats stark reduziert und die relaxationsinduzierten Oberflächenzustände verändert, ist nach der Austauschreaktion eine dem InP-Substrat qualitativ äquivalente Bandstruktur zu beobachten. Quantitativ werden wichtige Kenngrößen verschoben in Richtung der entsprechenden InAs-Werte. Weiteres Arsenangebot nach dem Einbau wurde ebenfalls untersucht und mit der ursprünglichen gesättigten Monolage verglichen. Experimentelle Anwendungen dieser Modifikation als Marker für Photoelektronenbeugung und zur Beeinflussung von Schottkybarrieren werden diskutiert.

[1] T. Chassé, G. Neuhold, K. Horn, Surf. Sci. 331-333, 511 (1995)