Münster 1997 – wissenschaftliches Programm

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O: Oberflächenphysik

O 22: POSTER II

O 22.21: Poster

Mittwoch, 19. März 1997, 14:15–15:45, AULA

Oxidation von amorphen Magnesium-Siliziden — •B. Braun¹, W. Maus-Friedrichs¹, M. Brause¹, D. Ochs¹, V. Puchin² und V. Kempter¹ — ¹Physikalisches Institut der Technischen Universität Clausthal, Leibnizstra!e 4, D-38678 Clausthal-Zellerfeld — ²Institute of Chemical Physics, University of Latvia, Latvia

Silizidschichten (Mg₂Si) wurden auf Si(100) und Si(111) präpariert. Die Oberflächenzustandsdichte der obersten, chemisch aktiven Atomlage wurde mit Metastable Impact Electron Spectroscopy (MIES) und UPS (He I) analysiert. Die Meßergebnisse werden auf der Basis von ab-initio Hartree–Fock Kalkulationen diskutiert. Die Silizidbildung ist anhand der charakteristischen Peakverschiebungen (Mg(2p) und Si(2p)) in den XPS-Spektren zu verfolgen. Oberhalb von 2 ML (ca. 10Å) wurden ausschließlich nicht-epitaktische, amorphe Schichten beobachtet. LEED zeigt bei diesen Schichtdicken keine Reflexe. Die Oberflächenzustandsdichte dicker Silizidschichten (≥60Å) ist für beide Substrate identisch.
Es werden auch Ergebnisse zur Oxidation amorpher Silizidschichten auf Si(100) und Si(111) vorgestellt.