Münster 1997 – wissenschaftliches Programm
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O: Oberflächenphysik
O 22: POSTER II
O 22.22: Poster
Mittwoch, 19. März 1997, 14:15–15:45, AULA
GaAs(001):S - Einflu"s der Oberfl"achenrekonstruktion auf die Photoemission — •T. Strasser1, C. Solterbeck1, W. Schattke1, K. Gohrt2, R. Schnurpfeil2, L. Kipp2, and M. Skibowski2 — 1Institut f"ur Theoretische Physik — 2Institut f"ur Experimentalphysik, Universit"at Kiel, Leibnizstr. 15, 24098 Kiel
Im Einstufenmodell haben wir Spektren der energie- und winkelaufgel"osten Photoemissionsspektroskopie f"ur schwefelbedeckte GaAs(001) Oberfl"achen berechnet. Ein Vergleich von Spektren der reinen Oberfl"ache mit denen einer (1x1) Rekonstruktion von Schwefel auf GaAs zeigt den erheblichen Einflu"s der Bedeckung auf die Strukturen in den Spektren.
Am Beispiel unterschiedlicher Modelle f"ur eine (2x3) und (2x6) Rekonstruktion von Schwefel auf GaAs analysieren wir die Auswirkungen von Ver"anderungen in der Geometrie auf die elektronische Struktur und untersuchen die wesentlichere Frage, wie sich diese Ver"anderungen in den Spektren und damit in den experimentell zug"anglichen Daten niederschlagen. Ein wichtiges Hilfsmittel ist hierbei die orbitale Zusammensetzung der theoretischen Photostr"ome. Die so erhaltenen Spektren werden mit experimentellen Daten der pr"aparierten GaAs(001)-(2x3)S Oberfl"ache verglichen.