Münster 1997 – wissenschaftliches Programm

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O: Oberflächenphysik

O 22: POSTER II

O 22.28: Poster

Mittwoch, 19. März 1997, 14:15–15:45, AULA

Rastertunnelmikroskopie und Tunnelspektroskopie an CdTe - (100) und - (110) Oberflächen — •W. Pfeiffer, V. Gerstner, A. Thon und G. Gerber — Physikalisches Institut EP1, Universität Würzburg, D-97074 Würzburg

Während die Si- und GaAs-Oberflächen bereits ausgiebig mit dem Rastertunnelmikroskop (RTM) untersucht wurden exisitieren bislang nur wenige Arbeiten an II-VI-Halbleiteroberflächen. Die CdTe-Oberflächen werden durch in-situ Spalten oder durch Sputtern und Heizen präpariert. Als Tunnelspitze dient ein elektrochemisch geätzter W-Draht. Spannungsabhängige Topographie sowie lokale Tunnelspektroskopie geben Aufschluß über die elektronische Struktur der ungestörten Oberfläche. Erste Ergebnisse zur Untersuchung von Oberflächendefekten und Defekten nahe der Oberfläche werden vorgestellt.