Münster 1997 – wissenschaftliches Programm
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O: Oberflächenphysik
O 22: POSTER II
O 22.56: Poster
Mittwoch, 19. März 1997, 14:15–15:45, AULA
Neue Resultate in der optischen Nahfeldlithografie — •S. Wegscheider, B. Schneider, G. Krausch*, V. Sandoghdar und J. Mlynek — Fakultät für Physik, Universität Konstanz, Universitätsstr. 10, D-78465 Konstanz
In der optischen Nahfeldlithografie wird die gezogene Glasfaserspitze eines optischen Nahfeldmikroskops (SNOM) verwendet um das Beugungslimit zu unterschreiten und Strukturen unterhalb 100nm zu erzeugen. Wir stellen Ergebnisse verschiedener Strukturierungsmechanismen vor. Diese beinhalten die Veränderung der optischen Eigenschaften von Halbleiterschichten (WO3) ohne Veränderung der Topografie sowie Ergebnisse der Strukturierung mittels photoinduzierter radikalischer Polymerisation.
* neue Anschrift: Institut für Physikalische Chemie, LMU München,
Theresienstr. 39, D-80333 München