Münster 1997 – wissenschaftliches Programm

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O: Oberflächenphysik

O 22: POSTER II

O 22.69: Poster

Mittwoch, 19. März 1997, 14:15–15:45, AULA

Oberflächenphotospannung von Si(111)- und Ge(001)-Oberflächen — •Tobias Hagen¹, Stefan Grafström¹, Joachim Kowalski¹ und Reinhard Neumann² — ¹Physikalisches Institut, Universität Heidelberg, Philosophenweg 12, 69120 Heidelberg — ²Gesellschaft für Schwerionenforschung, Planck-Str. 1, 64291 Darmstadt

Die an Halbleitern beobachtete Oberflächenphotospannung gibt Aufschluß über Oberflächenzustände. Im Tunnelmikroskop äußert sie sich als lichtinduzierte Verschiebung der Strom-Spannungs-Kennlinie. Auf Oberflächen mit einer hohen Zustandsdichte in der Bandlücke läßt sich die Photospannung mit Hilfe eines Regelkreises messen, bei dem der Abstand über eine Wechselstromkomponente konstant gehalten wird und gleichzeitig die DC-Komponente des Tunnelstroms über die angelegte Spannung auf null geregelt wird. Bei der UV-Photoelektronenspektroskopie (UPS) führt die Photospannung zu einer Verschiebung des Spektrums, die wir mit Lock-in-Technik gemessen haben. Sie zeigt im Einklang mit der Theorie im wesentlichen eine logarithmische Abhängigkeit von der Laserleistung. Die Untersuchungen wurden an Si(111)-7×7- und an Ge(001)-2×1-Proben durchgeführt. Außerdem wurde die Adsorption des organischen Farbstoffs Perylen-Tetracarbonsäure-Dianhydrid (PTCDA) auf Ge(001) untersucht.