Münster 1997 – wissenschaftliches Programm

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O: Oberflächenphysik

O 22: POSTER II

O 22.70: Poster

Mittwoch, 19. März 1997, 14:15–15:45, AULA

Nanostrukturierung von PMMA–E–Beam Resist mittels STM — •L. Dreeskornfeld, J. Hartwich, V. Heisig, S. Rahn, G. Haindl, U. Kleineberg und U. Heinzmann — Molekül– und Oberflächenphysik, Universität Bielefeld, Universitätsstraße 25, D-33615 Bielefeld

Mit Hilfe eines UHV–STM, welches in einem Bereich von 18 * 18 µ m² einzelne Punkte der Probenoberfläche ansteuern kann, sollen Strukturen im Nanometerbereich auf einem Silizium–Wafer erzeugt werden.
Dazu wird ein Polymethylmethacrylat (PMMA)–E–Beam Resist mit einer Schichtdicke von bis zu 40 nm auf die Probe aufgeschleudert. Es wurde die durch Anlegen von Spannungspulsen erzeugte Belichtung sowie der bei höheren Spannungspulsen beobachtete Abtrag des Resists untersucht. Nach Entwicklung des Resists werden die Strukturen mittels reaktivem Ionenätzen (RIE) in das Substrat übertragen. Als Untersuchungsmethoden der einzelnen Prozeßstadien dienen AFM und STM. Diese Versuche sind als Vorstudien zur Erzeugung lateraler Nanostrukturen in Multischichtsystemen gedacht.