Münster 1997 – wissenschaftliches Programm
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O: Oberflächenphysik
O 24: Homo-/Hetero-Epitaxie auf Si
O 24.5: Vortrag
Mittwoch, 19. März 1997, 17:00–17:15, S 1
Bildung metastabiler SiH2-Tetramerstrukturen während der
Dissoziation von SiH4 auf Si(100)2×1 — •J. Spitzmüller, M. Fehrenbacher, M. Pitter, H. Rauscher und R. J. Behm — Abt. Oberflächenchemie und Katalyse, Universität Ulm, 89069 Ulm
Wir haben die Wechselwirkung von SiH4 mit Si(100)2×1 unter UHV-Bedingungen mittels Rastertunnelmikroskopie und ergänzenden Modellrechnungen zur SiH4-Dissoziationskaskade und -kinetik untersucht. Neben kleinen anisotropen Siliciuminseln, deren Bildung wesentlich vom Einfluß der beim Zerfall von SiH4 entstehenden Dissoziationsprodukte abhängt, und Bereichen von wasserstoffterminiertem Si-Substrat werden neue, metastabile Strukturen gebildet. Diese kreuzförmigen Strukturen werden als SiH2 Tetramereinheiten interpretiert, welche jeweils vier Si-Substratatome miteinander verbinden. Die Modellrechnungen zeigen, daß in dem Temperaturbereich, in dem diese metastabilen Tetramere beobachtet werden, die einzige relevante SiHx-Spezies der Dissoziationskaskade SiH2 ist und daß der Zerfall von SiH2 mit dem Verschwinden der Tetramergruppen korreliert ist.