Münster 1997 – wissenschaftliches Programm

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O: Oberflächenphysik

O 24: Homo-/Hetero-Epitaxie auf Si

O 24.9: Vortrag

Mittwoch, 19. März 1997, 18:00–18:15, S 1

Atomarer Wasserstoff — ideales Surfactant? — •Th. Schmidt, J. Falta, C. Sanchez-Hanke, A. Hille, O. Mielmann und G. Materlik — HASYLAB am DESY, Notkestraße 85, D-22607 Hamburg

Das Wachstum atomar glatter, undotierter Germaniumschichten auf Siliziumsubstraten stellt eine große Herausforderung dar: Durch den Einsatz von Surfactants kann zwar die Bildung von 3D-Inseln unterdrückt werden[1], jedoch findet bei üblichen Surfactants wie z.B. Sb,Ga,As ein signifikanter Einbau des Surfactants in den wachsenden Film statt. Atomarer Wasserstoff könnte hier einen Ausweg darstellen. Mit stehenden Röntgenwellenfeldern (XSW) wurden auf in situ hergestellten, wasserstoffterminierten Si(111)-(1×1) Substraten gewachsene Ge-Schichten im oligoatomaren Schichtdickenbereich untersucht. Dabei wurde gleichzeitig die Ge-K_α-Floureszenz und mit einem Flugzeitdetektor die Ausbeute an desorbierenden H⁺-Ionen registriert. Der starke Anstieg der photostimulierten Desorption oberhalb der Ge-K-Kante, d.h. für hν>11.1 keV, erlaubt Schlüsse auf den desorptionswirksamen Prozeß; danach spiegelt das H⁺-Signal die Position der obersten Ge-Lage wieder. Darüberhinaus wurden an dickeren, ebenfalls auf H:Si(111)-(1×1) gewachsenen Ge-Filmen (≈30 BL) Crystal-Truncation-Rod-Messungen (CTR) durchgeführt. Dabei zeigte sich eine starke Facettierung und damit verbundene Aufrauhung dieser Ge-Schichten.

[1] M. Copel et al., Phys. Rev. Lett. 63, 632 (1989);
5.7mm M. Horn-von Hoegen et al., Phys. Rev. Lett. 67, 1130 (1991)