Münster 1997 – wissenschaftliches Programm
Bereiche | Tage | Auswahl | Suche | Downloads | Hilfe
O: Oberflächenphysik
O 29: Metalle auf Halbleitern I
O 29.1: Vortrag
Donnerstag, 20. März 1997, 11:15–11:30, S 1
4pt — •M. Hasselblatt1, J.J. Paggel2, K. Horn1, E. Rotenberg3, and J.D. Denlinger3 — 1Fritz-Haber-Institut der Max-Planck-Gesellschaft, Berlin — 2Wissenschaftliches Zentrum für Materialwissenschaften der Philipps-Universität Marburg † — 3Advanced Light Source, Berkeley, USA
6pt Die Arsen-terminierte Silizium-(111)-Oberfläche weist eine (1x1)-Rekonstruktion auf, die durch Ersetzen der Siliziumatome der äußeren Hälfte der ersten Doppellage durch Arsenatome entsteht. Diese Oberfläche ist im Vergleich zu anderen, wie der Si(111)-(7x7), sehr einfach aufgebaut. Es liegt daher nahe, sie als Modellsystem für die Linenformanalyse von Rumpfniveauspektren zu benutzen.
Hohe Energie- und Winkelauflösung, kombiniert mit hohem Photonenfluß erlauben eine sichere Identifikation neuer Komponenten in der Si2p-Rumpfniveausignatur, wenn es gelingt, Spektren verschiedenster Energie und Winkel mit einer konsistenten Modellfunktion zu beschreiben. Die stärkere Verschiebung der Arsen-induzierten Si2p-Komponenten erleichtert die Interpretation der Spektren im Vergleich zur kontrovers diskutierten Wasserstoff-terminierten Si(111)-Oberfläche. Die Ergebnisse der Analyse werden in bezug auf die Linienform der Si2p-Emission der Wasserstoff-terminierten Oberfläche diskutiert. 6pt