Münster 1997 – wissenschaftliches Programm
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O: Oberflächenphysik
O 32: Isolatoroberflächen
O 32.6: Vortrag
Donnerstag, 20. März 1997, 12:30–12:45, PC 4
Defekt-induziertes Zerstäuben von Isolatoren (LiF, SiO2) mit hyperthermischen, hochgeladenen Ionen:
Arq+ (q≤ 14), Xeq+ (q≤ 27) → LiF und SiO2 — •G. Libiseller1, M. Sporn1, M. Schmid1, F. Aumayr1, HP. Winter1, P. Varga1, M. Grether2 und N. Stolterfoht2 — 1Inst. f. Allgemeine Physik, TU Wien, Wiedner Hauptstraße 8–10, A-1040 Wien — 2Hahn-Meitner-Institut, Glienickerstraße 100, D-14109 Berlin
Für Alkalihalogenide (LiF) wurde die Möglichkeit der Potentialzerstäubung unter Beschuß mit hochgeladenen Ionen (Arq+, q≤ 9) bei hyperthermischen Energien (Ekin ≤ 100 eV) gezeigt und auf Defektbildung und -desorption infolge von Lochanregungen im Valenzband während der Ionenneutralisation zurückgeführt [1]. Das Zerstäubungsmodell für LiF behält für sehr hochgeladene Ionen (Arq+, q=11,14, Xeq+, q=14,19,27) seine Gültigkeit.
Für SiO2 sind zu den Alkalihalogeniden analoge Defekte unter Teilchenbeschuß beschrieben, gleichzeitig wird Zerstäubungsverstärkung durch potentielle Energie (Arq+, q≤ 9, Xeq+, q=15,20,25) beobachtet. Anhand von MgO wird gezeigt, daß Potentialzerstäubung keine Eigenschaft aller Nichtleiter ist, sondern auf der Möglichkeit zum Einfang elektronischer Primäranregungen in Gitterdefekte beruht.
[1] T. Neidhart, F. Pichler, F. Aumayr, HP. Winter, M. Schmid, and P. Varga, Phys. Rev. Lett. 74 (1995) 5280