Münster 1997 – wissenschaftliches Programm

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O: Oberflächenphysik

O 33: Reine und H-terminierte Halbleiter

O 33.1: Vortrag

Donnerstag, 20. März 1997, 16:00–16:15, S 10

Mehrphotonen Photoelektronenspektroskopie an ZnTe(110) und GaP(110) Halbleiteroberflächen — •M. Reichling¹, M. Leblans², R.K.R. Thoma², J.L. LoPresti² und R.T. Williams² — ¹Fachbereich Physik, Freie Universität Berlin — ²Physics Department, Wake Forest University

Die Photoemission aus ZnTe(110) und GaP(110) nach gleichzeitiger oder sequentieller Anregung mit zwei oder drei Photonen wurde mit einer Zeitauflösung von 200fs untersucht. Für 2.95eV Anregung und Abfrage mit 5.90eV Photonen konnte in ZnTe(110) die Thermalisierung von Leitungsbandelektronen und Einfang in Oberflächendefektzustände beobachtet werden. Nach dem Einfang erfolgt eine verlangsamte Relaxation in Zustände nahe dem Fermi-Niveau. In GaP(110) wurde die Relaxation von Löchern und Elektronen nach Zwei- und Drei-Photonenanregung bei 3.16eV untersucht. Die Relaxation in Oberflächenzuständen in der Bandlücke erfolgt hier mit Zeitkonstanten von 300fs bzw. 2.5ps.