Münster 1997 – wissenschaftliches Programm

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O: Oberflächenphysik

O 33: Reine und H-terminierte Halbleiter

O 33.6: Vortrag

Donnerstag, 20. März 1997, 17:15–17:30, S 10

Winkelaufgelöste Photoemission an c(2x2) rekonstruierten β -SiC(100) Oberflächen — •F. S. Tautz¹, S. Sloboshanin¹, S. Hohenecker², D. R. T. Zahn² und J. A. Schaefer¹ — ¹Institut für Physik, TU Ilmenau, 98684 Ilmenau — ²Professur für Halbleiterphysik der TU Chemnitz-Zwickau, 09107 Chemnitz

Winkelaufgelöste Photoemissionsspektren (ARUPS) an der c(2x2) rekonstruierten (100)- Oberfläche kubischen Siliziumkarbids wurden mit Hilfe der He-I-Linie einer Helium- Gasentladung gemessen. Die kohlenstoffreiche c(2x2) Oberfläche wurde ausgehend von der sauerstoffhaltigen (1x1) Struktur durch Heizen präpariert und mittels LEED diagnostiziert. Spektren wurden entlang zweier Hochsymmetrielinien in der Brillouinzone der Oberfläche, Γ-X und Γ-M, aufgenommen und daraus die Oberflächenbandstruktur bestimmt. Die erhaltenen Energy Distribution Curves (EDCs) zeigen die aus winkelintegrierten Messungen bekannten Strukturen des Valenzbands von Siliziumkarbid. In Übereinstimmung mit theoretischen Voraussagen ergeben sich Hinweise, daß der Oberflächenzustand der nicht abgesättigten Kohlenstoffbindungen in der Nähe der Valenzbandkante erscheint.