Münster 1997 – wissenschaftliches Programm

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O: Oberflächenphysik

O 33: Reine und H-terminierte Halbleiter

O 33.8: Vortrag

Donnerstag, 20. März 1997, 17:45–18:00, S 10

Spektroskopie von Rumpfelektronen–Niveaus an GaAs(113)–Oberflächen — •C. Setzer, J. Platen und K. Jacobi — Fritz-Haber-Institut der Max-Planck-Gesellschaft, Faradayweg 4-6, 14195 Berlin

GaAs(113)-Oberflächen sind kürzlich zur Erzeugung von niederdimensionalen Quantenstrukturen benutzt worden. Wir haben eine Kompakt-MBE-Apparatur aufgebaut und damit GaAs(113)-Oberflächen präpariert. Die flachen Rumpfelektronen-Niveaus wurden bei BESSY mit Synchrotronstrahlung untersucht. Für die (113)A-Oberfläche, die ein 8x1 LEED-Bild zeigt, werden folgende surface core level shifts (SCLSs) gefunden: +530 meV für As 3d und -460 meV und +360 meV für Ga 3d. Diese Werte unterstützen den Strukturvorschlag von Wassermeier et al.[1] und sind im Widerspruch zu demjenigen von Nötzel et al.[2]. Unter den gleichen Präparationsbedingungen bilden sich auf der (113)B-Fläche (110)- und (111)-Facetten aus. Daher wurden auch Messungen der SCLSs an GaAs(110), (111)A und (111)B durchgeführt und werden zum Vergleich herangezogen.

[1] Wassermeier et al., Phys. Rev. B 51, 14721(1995). [2] Nötzel et al., Phys. Rev. Lett. 67, 3812(1991).