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Münster 1997 – scientific programme

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O: Oberflächenphysik

O 38: Metalle auf Halbleitern II

Friday, March 21, 1997, 11:15–13:00, S 1

11:15 O 38.1 In situ NMR Beobachtung der Ausbildung der Si(111)3x1:Li Rekonstruktion — •H. Kleine, H.J. J"ansch, W. Krauß, and D. Fick
11:30 O 38.2 Bestimmung des Desorptionsmechanismus durch PSID und
XSW von Si(111)-(7×7) und CsCl/Si(111)-(7×7)
— •A. Hille, J. Falta, C. Sánchez-Hanke, Th. Schmidt, and G. Materlik
11:45 O 38.3 Adsorbat-induzierte Stabilisierung hochindizierter Oberflächen: In auf Si(103) — •Jan Helge Zeysing, Henning Klar, Gerald Falkenberg, Lorenz Seehofer und Robert L. Johnson
12:00 O 38.4 Ver"anderungen der Morphologie der Ge(001)(2× 1) Oberfl"ache nach Sb-Adsorption — •G. Falkenberg, L. Seehofer, R. Kosuch, and R.L. Johnson
12:15 O 38.5 Wechselwirkung von Ag mit Si(111)7× 7 bei Variabler Temperatur — InSitu–Adsorption im STM — •A. Feltz, H. Wengelnik und T. Berghaus
12:30 O 38.6 Untersuchung der Selbstorganisation Ag induzierter Vielfachstufen auf fehlgeneigtem Si(001) — •P. Zahl, A. Meier und M. Horn-von Hoegen
12:45 O 38.7 In-situ-TEM-Untersuchung der Kinetik des dendritischen Wachstums von Gold auf HOPG — •A.A. Schmidt, I. Schneidereit und R. Anton
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