Münster 1997 – wissenschaftliches Programm
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O: Oberflächenphysik
O 39: Adsorption auf Oxiden
O 39.5: Vortrag
Freitag, 21. März 1997, 12:15–12:30, S 2
Quantenmech. Rechnungen zum Adsorptionsverhalten von Methan auf Ga2O3 — •Thorsten Ochs1, M. Fleischer2, and H. Meixner2 — 1Institut f"ur Angewandte Physik, Universit"at Gie"sen, Heinrich-Buff-Ring 16, D-35392 Gie"sen — 2Siemens, ZFE M"unchen
Zum besseren Verst"andnis des in TOF-Messungen beobachteten Adsorptionsverhaltens von Methan auf einer (100)- Galliumoxidoberfl"ache [1] wurden sowohl semiempirische Rechnungen mit dem Programmpaket MOPAC93 als auch ab initio Dichtefunktionalrechnungen mit dem Programm DMol der Firma BIOSYM/MSI durchgef"uhrt. Die (100) Ebene wurde zur Simulation der Oberfl"ache gew"ahlt, da diese die h"aufigste Spaltfl"ache des Ga2O3 darstellt. Nach der Dissoziation des Methans kommt es zu einer Bindung des Kohlenstoffs an ein Gittersauerstoffatom. Neben der Adsorptionsgeometrie der CH3 Gruppe wurden weitere Reaktionsm"oglichkeiten auf der Oberfl"ache untersucht und die Bildung von H2CO festgestellt.
[1] F.Becker,Ch. Krummel, A. Freiling, M.Fleischer, C. Kohl, Fresenius J.Anal.Chem.,in press