Münster 1997 – wissenschaftliches Programm

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O: Oberflächenphysik

O 5: Adsorption auf Halbleiter-Oberflächen

O 5.5: Vortrag

Montag, 17. März 1997, 10:30–10:45, PC 4

Strukturbestimmung von Si(111)(√3× √3)R30^∘ - Bor mit
Photoelektronenbeugung — •P. Baumgärtel¹, J.J. Paggel¹, M. Hasselblatt¹, K. Horn¹, E. Rotenberg², J. Denlinger³, V. Fernandez¹, O. Schaff¹ und A. M. Bradshaw¹ — ¹Fritz-Haber-Institut der MPG, Faradayweg 4-6, 14195 Berlin — ²University of Oregon, USA — ³University of Wisconsin-Milwaukee, USA

Beim Ausheilen einer mit Bor dotierten Si(111)-Oberfläche bildet sich eine (√3× √3)R30^∘ Überstruktur aus, die ungewöhnliche Eigenschaften hat: die Bor-Atome ersetzen Silizium-Atome in sogenannten subsurface Positionen in der dritten Lage. Wir haben die Strukturparameter dieses Systems mit Photoelektronenbeugung im scanned energy mode bestimmt. Die Experimente wurden an der Beamline 7.0 an der Advanced Light Source in Berkeley, USA, durchgeführt. Im Gegensatz zu Messungen mit LEED oder Röntgenbeugung, die auch schon an dieser Struktur durchgeführt wurden, sind Photoelektronenbeugungsmessungen an der Bor 1s Linie besonders empfindlich auf die lokale Adsorptionsgeometrie der Bor-Atome. Durch den Vergleich der experimentellen Daten mit Vielfachstreurechnungen und die Strukturoptimierung mit einem automatisierten trial-and-error Verfahren können wir die Position der Bor-Atome mit hoher Genauigkeit bestimmen und mit den Ergebnissen aus LEED- und Röntgenbeugungsmessungen vergleichen.