Münster 1997 – wissenschaftliches Programm
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O: Oberflächenphysik
O 6: POSTER I
O 6.15: Poster
Montag, 17. März 1997, 14:15–15:45, AULA
D2-Adsorption und H2-D2-Austauschreaktivität auf Al-bedeckten Ni(110)-Oberflächen — •W. Weiss1, M.F. Bertino2, P. Hahn2, J.P. Toennies2 und M. Ritter1 — 1Fritz-Haber-Institut der Max-Planck-Gesellschaft, Faradayweg 4-6, D-14195 Berlin — 2MPI für Strömungsforschung, Bunsenstr. 10, D-37073 Göttingen
Das Wachstum von Al auf Ni(110) wurde mit STM, LEED und
Augerelektronenspektroskopie untersucht, die Adsorption von D2 mit TDS und
die H2-D2-Austauschreaktivität mit thermischer Reaktionsspektroskopie.
Al wächst von Beginn an in Inseln auf, die bis zu 3 nm hoch werden können,
bevor das Nickelsubstrat vollständig bedeckt wird. Mit zunehmender
Al-Bedeckung verschwinden die α- und β2-Desorptionssignale von
D2 auf sauberem Ni(110), während das β1-Signal bestehen bleibt und
ein neuer γ-Zustand unterhalb 300 K entsteht. Der
Anfangshaftkoeffizient
S0 und die Sättigungsbedeckung von D2 nehmen mit zunehmender
Al-Bedeckung ab. Daraus ergibt sich, daß keine D2-Dissoziation auf
Ni(110)
in der Nähe von Al-Inseln stattfinden kann und daß auf den anderen
Ni(110)-Oberflächenbereichen dissoziiertes D2 zu den Inselrändern
hindiffundiert. Mit zunehmender Al-Bedeckung nimmt die
H2-D2-Austauschreaktivität oberhalb
Raumtemperatur ab, unterhalb
Raumtemperatur jedoch zu. Diese erhöhte Reaktivität unterhalb 300 K wird
Ni-Oberflächenbereichen in der Nähe von Al-Inseln zugeordnet, welche den
neuen γ-Zustand in den TD-Spektren erzeugen.