Münster 1997 – wissenschaftliches Programm
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O: Oberflächenphysik
O 6: POSTER I
O 6.31: Poster
Montag, 17. März 1997, 14:15–15:45, AULA
He–Streuung an adsorbiertem Wasserstoff — •Christoph Spiel und Gerhard Blahusch — Physik Department E10, TU München, 85747 Garching
Auf Si(100)–Oberflächen werden bei einer Temperatur von 1.4 K mit einer Molekularstrahlapparatur dünne H2–Schichten adsorbiert. Anschließend werden mit derselben Apparatur He–Streuexperimente durchgeführt. Der Energieübertrag der inelastisch gestreuten He–Atome wird auf der Rückseite des Si–Kristalls mit einer supraleitenden Al–Tunneldiode gemessen.
Die Ergebnisse der inelastischen He–Streuung an H2 werden mit den Ergebnissen der Streuung an Edelgasen (Ne, Ar, Kr, Xe) verglichen. Messungen in Abhängigkeit von der H2–Bedeckung liefern den Haftfaktor von H2 auf Si. Weiterhin zeigt sich, daß das H2 durch den He–Beschluß desorbiert.