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O: Oberflächenphysik

O 6: POSTER I

O 6.32: Poster

Montag, 17. März 1997, 14:15–15:45, AULA

Ab initio-Berechnung der Struktur und Oberflächenphononen von Si(100):H(2 × 1) und Si(100):As(2 × 1) — •M. Arnold, R. Honke, P. Pavone und U. Schröder — Institut für Theoretische Physik, Universität Regensburg, D-93040 Regensburg

Die atomaren, elektronischen und dynamischen Eigenschaften der mit Arsen bzw. Wasserstoff bedeckten Si(100)-Oberfläche wurden mit Hilfe eines auf der Dichtefunktionaltheorie beruhenden Formalismus untersucht. Zur Bestimmung des Grundzustandes von Si(100):As sowie von Si(100):H wurde für die p(2 × 1)-Rekonstruktion die Gesamtenergie unter Ausnutzung der Hellmann-Feynman-Kräfte minimiert. Für beide Systeme wurde die volle Dispersion der Oberflächenphononen entlang von Hochsymmetrierichtungen ermittelt.