Münster 1997 – wissenschaftliches Programm

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O: Oberflächenphysik

O 6: POSTER I

O 6.36: Poster

Montag, 17. März 1997, 14:15–15:45, AULA

Kinetik der Ag induzierten Vielfachstufenbildung von Si(100) — •A. Meier, R. Vockenroth, P. Zahl, D. Kähler und M. Horn-von Hoegen — Institut für Festkörperphysik, Universität Hannover, Appelstr. 2, D-30167 Hannover

Adsorption von Ag auf 4^∘ fehlgeneigtem Si(100) im Temperaturbereich von 400 - 800^∘C bewirkt die Bildung von Vielfachdoppelstufen (Stepbunches). Die Stepbunches bilden sehr lange [117]-Facetten aus, deren Höhe von der Adsorptionstemperatur bestimmt ist. Die Kinetik dieser Umwandlung durch Si Massentransport wurde während der Adsorption von Ag mittels SPA-LEED in-situ studiert. Die mittlere Breite der so entstehenden ebenen (100)-Terrassen wird über die Reflexaufspaltung direkt bestimmt. Da Ag die Mobilität von Si Adatomen deutlich erhöht, ist die Kinetik der Vielfachstufenbildung nur durch die Ag Adsorptionsrate begrenzt. Mit der Desorption des Ag bilden sich reversibel die Doppelstufen der Si(100) Ausgangsfläche wieder aus. Bei Temperaturen oberhalb von 700^∘C konnte die Ausbildung von bis zu 50-fach Stufen und dementsprechend 1000Å breiten ebenen Terrassen beobachtet werden.