Münster 1997 – wissenschaftliches Programm

Bereiche | Tage | Auswahl | Suche | Downloads | Hilfe

O: Oberflächenphysik

O 6: POSTER I

O 6.37: Poster

Montag, 17. März 1997, 14:15–15:45, AULA

Analyse von Stufen-Stufen-Korrelationen Ag induzierter Vielfachstufen auf fehlgeneigtem Si(100) — •P. Zahl, A. Meier und M. Horn-von Hoegen — Institut für Festkörperphysik, Universität Hannover, Appelstr. 2, D-30167 Hannover

Eine neuartige statistische Analyse von atomaren Stufenfolgen auf fehlgeneigten bzw. rauhen Oberflächen wird am Beispiel von STM Aufnahmen zur Ag induzierten Ausbildung von Vielfachdoppelstufen auf 4^∘ fehlgeneigten Si(001)-Flächen vorgestellt. Korrelationen der Stufenlängen und Stufenhöhen benachbarter und übernächster Terrassen werden mittels zweidimensionaler Histogramme bzw. Differenzhistogramme dargestellt.

Langreichweitige Ordnung der Stufenfolgen läßt sich dagegen besser über eine Fourieranalyse der STM Höhenprofile finden. Der detaillierte Vergleich mit SPA-LEED Untersuchungen zeigt eine überzeugende Übereinstimmung der beobachteten langreichweitigen Korrelation: die Si Fläche rauht bei der Vielfachstufenbildung nicht beliebig auf, sondern bleibt im Mittel glatt.