Münster 1997 – wissenschaftliches Programm

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O: Oberflächenphysik

O 6: POSTER I

O 6.55: Poster

Montag, 17. März 1997, 14:15–15:45, AULA

Untersuchung des epitaktischen Wachstums von Kupfer auf Fe/W(110) mit STM und LEED; Einflu"s der Gitterkonstante auf den Wachstumsmodus — •M. Wichmann, R. Bokowski, C. Jensen, and U. K"ohler — Institut f"ur Experimentalphysik, Christian-Albrechts-Universit"at Kiel, Olshausenstr. 40, D-24098 Kiel

Mit Molekularstrahlepitaxie wurde Kupfer auf Fe/W(110) bei Temperaturen von 300 K bis 550 K aufgedampft und von der pseudomorphen ersten Lage bis zur vollst"andigen Relaxation in h"oheren Lagen mit in-situ Rastertunnelmikroskopie und LEED untersucht. Die Dicke der als Substrat benutzten Eisenschicht wurde dabei variiert von einer zum Wolfram pseudomorphen Lage bis zu mehr als 20 Lagen, wobei die Unterlage dann aus relaxiertem Eisen besteht. Auf relaxiertem Fe(110) bildet Kupfer in der ersten Monolage dendritische, pseudomorphe Inseln, die sich nahezu komplett schlie"sen, bevor die zweite Lage nukleiert. Diese zeigt aufgrund der Gitterfehlpassung Versetzungslinien mit einem Linienabstand von etwa 50 Å. Die Inseln der dritten Lage zeigen eine starke Anisotropie in Richtung der Versetzungen der zweiten Lage. Das einsetzende statistische Inselwachstum sorgt f"ur eine zunehmende Rauhigkeit, wobei eine Abnahme des Aspektverh"altnisses der Inseln zu beobachten ist. Kupfer, das bei 300 K auf eine zum Wolfram pseudomorphe Eisenlage aufgedampft wird, zeigt eine Nukleation in kompakten Inseln mit sehr viel h"oherer Nukleationsdichte als im ersten Fall. Mit Hilfe von LEED werden atomare Modelle der entstehenden Strukturen entwickelt.