Münster 1997 – wissenschaftliches Programm

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O: Oberflächenphysik

O 6: POSTER I

O 6.70: Poster

Montag, 17. März 1997, 14:15–15:45, AULA

Einflu"s des Wasserstoffs auf die Silbernukleation auf Si(111) und Nanostrukturierung von H-terminiertem Si(111) mit dem STM — •Heidrun Bethge¹, Stefan Menke¹, Martin Henzler¹, and Ulrich K"ohler² — ¹Institut f"ur Festk"orperphysik, Universit"at Hannover, Appelstr.2, D-30167 Hannover — ²Institut f"ur Experimentalphysik, Universit"at Kiel, Olshausenstr. 40, D-24098 Kiel

Von einer H-terminierten Si(111)-Oberfl"ache l"a"st sich mit der Tunnelspitze eines STMs durch Anlegen einer Tunnelspannung von mehreren Volt der Wasserstoff gezielt desorbieren [1]. Dieses Verfahren wurde zur Nanostrukturierung von wasserstoffges"attigten Si(111)-Oberfl"achen im UHV ausgenutzt und es konnten wasserstofffreie Linien mit minimalen Breiten in der Gr"o"senordnung von nm erzielt werden. Um das Ziel, Metall-Schichtwachstum auf der lithographisch strukturierten Si/H-Fl"ache zur Herstellung von metallischen Nanoleiterbahnen zu erreichen, wurden die Wachstumsmodi von Ag auf wasserstofffreiem und wasserstoffges"attigtem Si in Abh"angigkeit von Bedeckung und Probentemperatur (RT - 300^∘ C) untersucht. Dabei wurden Wachstumsparameter gesucht, bei denen das Ag m"oglichst glatt auf der reinen Si-Fl"ache aufw"achst und das Aufwachsen auf der Si/H geclustert ist, so da"s ein m"oglichst gro"ser Unterschied in den Wachstumsmodi auf der reinen Si- und der Si/H-Fl"ache erzielt wird.

[1] T. C. Shen et al. Science 268, 1590 (1995)