Regensburg 1998 – wissenschaftliches Programm

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DS: Dünne Schichten

DS 21: Laserverfahren I

DS 21.1: Hauptvortrag

Freitag, 27. März 1998, 09:30–10:15, H 31

Gesteuerte Kristallisation dünner Halbleiterschichten auf alternativen Substraten, z.B. Glas, mit Laserverfahren — •S. Christiansen, M. Albrecht und H.P. Strunk — Institut für Werkstoffwissenschaften, LSVII, Cauerstr.6, 91058 Erlangen

Verschiedenen Ansätze zur Laserkristallisation von amorphen Halbleiterschichten werden dargestellt, (i) flächig oder ii) lokal an Punkten maximaler Intensität bei der Laserinterferenz mit 2- oder 3-Strahlen. Die kristallisierten Strukturen (gegeben durch Kristallitgrößen, Größenverteilung, Defektpopulation und -Verteilung) werden mit transmissionselektronenmikroskopische Verfahren charakterisiert. Zu i): Statistisch verteilte Kristallite haben einen logarithmisch normalverteilten Durchmesser; maximale Durchmesser sind durch die tolerierbare Laserintensität gegeben. Größere Kristallite sind nur durch Trägheitseinschluß des Plasmas zu erreichen [1] welcher einen besonders günstigen Temperatur Druck-Zustand ermöglicht oder durch ii): Laserinterferenzverfahren, die zu erzwungenem, gelängtem Kristallitwachstum führen senkrecht zur Erstarrungsfront. Bei Wiederholung dieses Prozesses unter Verfahren der Probe, so daß gerade überlappend angrenzende Bereiche kristallisiert werden, können große einkristalline Bereiche erzielt werden [2].

[1] PCT-Patentanmeldung 13.Oktober.1997, H.P. Strunk, J.I. Christiansen, S. Christiansen, G. Hintz [2] H.J.  Kim, J.S.  Im, Appl.Phys.Lett. 68, 1513 (1996).