Regensburg 1998 – wissenschaftliches Programm

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DS: Dünne Schichten

DS 22: Laserverfahren II

DS 22.1: Fachvortrag

Freitag, 27. März 1998, 10:15–10:30, H 31

Modifizieren der strukturellen und elektrischen Eigenschaften von AlN mit UV-Laserstrahlung — •St. Geisler, B. Stolz, E.W. Kreutz und R. Poprawe — RWTH-Aachen, Lehrstuhl für Lasertechnik, Steinbachstraße 15, 52074 Aachen

Aluminiumnitrid (AlN) ist aufgrund seiner Eigenschaften, wie z.B. elektrischer Widerstand, dielektrische Verluste und Wärmeleitfähigkeit, ein geeignetes Substratmaterial für IC-Träger. Laserbasierte Verfahren ermöglichen eine direkte Aufbringung der Leiterbahnen im keramischen Substratmeterial. Um diese leitfähigen Strukturen im Substratmaterial auf direkte und einfachen Weise zu erzeugen, können im isolierenden Substratmaterial mit Laserstrahlung in bestimmten Parameterbereichen modifizierte Strukturen mit veringertem elektrischen Widerstand erzeugt werden.
Mit KrF-Excimerlaserstrahlung (λ = 248 nm) werden direkt leitfähige Strukturen auf AlN erzeugt. Dabei werden die Verfahrensparameter, wie Energiedichte, Repetitionsrate, effektive Pulszahl, Art und Druck der Prozeßatmosphäre, variiert und die resultierenden elektrischen und strukturellen Eigenschaften untersucht. Verschiedene physikalische Analysemethoden (Raman-Spektroskopie, AES, XPS, ESMA) sowie berechnete Temperaturverteilungen tragen zur Klärung der Prozesse während der Modifikation sowie der Art des Leitungsmechanismus bei.