Regensburg 1998 – wissenschaftliches Programm

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DS: Dünne Schichten

DS 23: Laserverfahren III

DS 23.1: Fachvortrag

Freitag, 27. März 1998, 11:15–11:30, H 31

Excimer Laser Annealing beim Abscheiden elektrokeramischer Dünnschichten mit PLD — •B. Vosseler, T. Klotzbücher, M. Maier und E. W. Kreutz — RWTH Aachen, Lehrstuhl für Lasertechnik, Steinbachstr. 15, 52074 Aachen

Um die Abscheidetemperaturen bei der Herstellung elektrokeramischer

Dünnschichten mit Excimer Laserdeposition zu senken, wird zur Kristallisation Laser Annealing eingesetzt. Ferroelektrische Schichten aus PZT (PbZr_0.52Ti_0.48O₃) und BaTiO₃ werden in einem Hybridprozeß mit KrF Excimer-Laserdeposition und in-situ Laser Annealing abgeschieden. Die Kristallisation der aufwachsenden Schichten wird in einem kinetischen Modell beschrieben. BaTiO₃-Schichten werden mit Excimer Laserdeposition abgeschieden und anschließend mit KrF Excimer Laserstrahlung annealt. Der Temperaturverlauf in der Schicht wird simuliert, die Ergebnisse werden mit der Ausbildung einer Schmelzzone in den BaTiO₃-Schichten verglichen.

Die Stöchiometrie und die Bindungszustände werden mit XPS analysiert. Die Kristallstruktur der Schichten wird mit Mikro-Raman-Spektroskopie und XRD, die Morphologie der Schichten wird mit REM untersucht. Die Bestimmung der di- und ferroelektrischen Eigenschaften der Schichten erfolgt per Impedanzmessung.