Regensburg 1998 – wissenschaftliches Programm

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DS: Dünne Schichten

DS 24: Postersitzung

DS 24.18: Poster

Donnerstag, 26. März 1998, 15:00–19:00, PF A

Einfluß der Energiebilanz des Substrates beim Sputtern von Aluminium — •Holger Kersten¹, Gerrit Kroesen², Hans Deutsch¹ und Rainer Hippler¹ — ¹Universität Greifswald, Institut für Physik, Domstr.10a, 17487 Greifswald — ²TU Eindhoven, Department of Physics, POBox 513, 5600MB Eindhoven, NL

Der integrale Energieeinstrom auf das Substrat besteht beim Sputtern vorwiegend aus der kinetischen Energie der Ladungsträger und schnellen Neutralen des gesputterten Materials. Durch Variation der elektrischen Potentiale am Substrat kann der Beitrag der Elektronen bzw. Ionen zum Energieeinstrom separiert werden. Die Anteile der Elektronen sowie der Ionen und gesputterten Neutralteilchen zur Energiebilanz des Substrates konnten mittels Sondenmessungen bzw. energieaufgelöster Massenspektrometrie untersucht werden. Als Substrate für die Aluminiumdeposition dienten mikroskopische Fe Pulverteilchen bzw. Si Wafer. Auf Grund der unterschiedlichen Wärmekapazität erfahren die Substrate bei ansonsten gleichen Entladungsbedingungen eine unterschiedliche thermische Belastung. Als eine Folge davon weisen die auf den Pulverteilchen abgeschiedenen Schichten im Vergleich zu den auf dem Silizium deponierten Filmen eine wesentlich größere Rauhigkeit auf.