Regensburg 1998 – wissenschaftliches Programm

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DS: Dünne Schichten

DS 24: Postersitzung

DS 24.33: Poster

Donnerstag, 26. März 1998, 15:00–19:00, PF A

Untersuchungen zur Strahlenschädenerzeugung durch Ionenimplantation in KTP — •Th. Opfermann, T. Bachmann und W. Wesch — Institut für Festkörperphysik, Friedrich-Schiller-Universität Jena, Max-Wien-Platz 1, D-07743 Jena

Kaliumtitanylphosphat KTiOPO₄ (KTP) ist ein relativ neues und vielversprechendes Material für die Herstellung aktiver und passiver optischer Bauelemente. Ein Weg zur Modifizierung der optischen Eigenschaften in vertikal und lateral begrenzten Bereichen ist die Ionenimplantation in Verbindung mit Nachfolgeprozessen. Gegenstand dieser Arbeit war die Untersuchung der Strahlenschädenerzeugung in KTP mittels Rutherford-Weitwinkelstreuung (RBS) in Verbindung mit der Kanalisierungstechnik nach Li⁺-, N⁺-, Ar⁺- und Er⁺- Implantation. Im Falle der Li⁺- Implantation ist die Strahlenschädigung mit der nuklearen Energiedeponierung korreliert. Im Gegensatz dazu zeigen die N⁺- und Ar⁺- Implantationen eine gleichmäßige Schädigung im gesamten implantierten Tiefenbereich und scheinen demzufolge mit der Verteilung der elektronischen Energiedeponierung im Zusammenhang zu stehen. Aus den Ergebnissen wird gefolgert, daß oberhalb eines Schwellwertes des elektronischen Energieverlustes pro Ion Ionisationsprozesse einen Beitrag zur Strahlenschädenbildung liefern. Die Ergebnisse werden in Relation zu den bekannten Bindungsenergien diskutiert. Die Arbeit wird gefördert von der Deutschen Forschungsgemeinschaft unter Wi 419/7-1.