Regensburg 1998 – wissenschaftliches Programm
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DS: Dünne Schichten
DS 24: Postersitzung
DS 24.51: Poster
Donnerstag, 26. März 1998, 15:00–19:00, PF A
Herstellung einer fokussierenden EUV–Multilayeroptik für ein Labor–Photoelektronenemissionsmikroskop (Labor–XPEEM) — •O. Wehmeyer1, I. Kolina1, F. Hamelmann1, U. Kleineberg1, U. Heinzmann1, G. Schriever2, R. Lebert2, O. Schmidt3 und G. Schönhense3 — 1Universität Bielefeld, Molekül und Oberflächenphysik, Universitätsstraße 25, D-33615 Bielefeld — 2ILT der FhG, Steinbachstraße 15, D-52074 Aachen — 3Focus GmbH, Am Birkhecker Berg 20, D-65510 Hünstetten
Wir berichten über die Herstellung einer multilayerbeschichteten EUV–Kondensoroptik, die (Linien–) Strahlung aus einer laserinduzierten Plasmalichtquelle (λ = 13,5 nm) in einem großen Raumwinkel aufsammelt und auf die Probe eines abbildenen PEEMs fokussiert. Das konkav gekrümmte Polsegmenet eines Rotationsellipsoides wird mit einer Mo/Si–Multischicht mit lateral variierender Periodendicke d beschichtet. Diese muß an jedem Punkt der gekrümmten Optik der Bragg–Bedingung (λ = 2d cos α), bei nahezu senkrechtem Einfallswinkel α und der festen Reflexionswellenlänge, genügen. Die Schichtherstellung erfolgt in einer UHV–Apparatur mittels e−–Strahlverdampfung. Während der Deposition wird die erforderliche Schichtdickenverteilung durch gezielte Abschirmung des Teilchenstroms mittels eines feststehenden Shutters vor der rotierenden Optikoberfläche erreicht. Das Experiment erschließt der Photoelektronenemissionsmikroskopie einen Wellenlängenbereich im EUV, der bisher vergleichbaren Experimenten mit Synchotronstrahlung vorbehalten war.