Regensburg 1998 – wissenschaftliches Programm
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DS: Dünne Schichten
DS 3: Harte Schichten I
DS 3.2: Fachvortrag
Montag, 23. März 1998, 14:15–14:30, H 31
Molekulardynamische Untersuchung des Schichtsystems Diamant / amorpher Kohlenstoff / Silizium — •Florin Fugaciu1, Helmut Hermann1, Gotthard Seifert2, Thomas Heine2 und K. Wetzig1 — 1Institut für Festkörper- und Werkstofforschung, Postfach 27 00 16, D - 01171 Dresden — 2Institut für Theoretische Physik, TU Dresden, Mommsenstr. 13, 01062 Dresden
Es wird untersucht, inwiefern eine Zwischenschicht aus amorphem Kohlenstoff die Stabilität und Haftung eines Diamantkeimes auf einem Siliziumsubstrat günstig beeinflussen kann und welche Eigenschaften die amorphe Struktur dann haben muß. Die Simulationen werden für verschiedene Orientierungen des Siliziumkristalls durchgeführt. Die Dicke der amorphen Schicht wird zwischen 0 und etwa 3 Atomlagen variiert. Für die Berechnungen wird eine Methode benutzt, die die Genauigkeit von quantenmechanischen Näherungen und die Geschwindigkeit von phänomenologischen Potentialen koppelt.